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05-21
2026
为什么先进半导体产线都选择臭氧基ALD？
为什么先进半导体产线都选择臭氧基ALD？先进半导体产线优先选择臭氧基原子层沉积（ALD），核心原因在于臭氧相比传统水基（H₂O）或氧等离子体工艺，在薄膜质量、热...
04-22
2026
臭氧表面处理对晶圆翘曲的改善机理
臭氧表面处理对晶圆翘曲的改善机理晶圆翘曲的核心诱因是晶圆内部/界面的应力失衡，主要包括薄膜沉积/退火带来的残余应力、材料热膨胀系数(CTE)失配引发的热应力、表...
04-17
2026
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臭氧处理对相变存储器电阻漂移的抑制，主要机制是通过界面氧化调控来稳定非晶态相变材料的结构弛豫过程。一、核心机理电阻漂移的根本原因在于非晶态GST（Ge₂Sb₂T...
04-02
2026
臭氧在贵金属（金、银、铂、钯）提取中的潜力及挑战
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03-27
2026
臭氧在半导体材料回收中的潜力
臭氧在半导体材料回收中的潜力半导体器件（如晶圆、芯片、IGBT模块）中含有硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等衬底材料，以及多层金属化结构（铜、铝、钽、钛等...
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