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06-04
2026
臭氧处理对微凸点底部填充材料附着力的改善
臭氧处理对微凸点底部填充材料（Underfill）附着力的改善，核心机理是通过表面清洁、化学改性（引入极性官能团）以及微观粗糙化，增强底部填充胶与基板（如硅芯片...
05-28
2026
臭氧基ALD生长氧化钪薄膜的工艺优化
臭氧基ALD生长氧化钪薄膜的工艺优化臭氧基原子层沉积（ALD）生长氧化钪（Sc₂O₃）薄膜的工艺优化，核心是平衡生长速率、薄膜纯度、均匀性与界面质量。Sc₂O₃...
05-21
2026
为什么先进半导体产线都选择臭氧基ALD？
为什么先进半导体产线都选择臭氧基ALD？先进半导体产线优先选择臭氧基原子层沉积（ALD），核心原因在于臭氧相比传统水基（H₂O）或氧等离子体工艺，在薄膜质量、热...
04-22
2026
臭氧表面处理对晶圆翘曲的改善机理
臭氧表面处理对晶圆翘曲的改善机理晶圆翘曲的核心诱因是晶圆内部/界面的应力失衡，主要包括薄膜沉积/退火带来的残余应力、材料热膨胀系数(CTE)失配引发的热应力、表...
04-17
2026
臭氧处理对相变存储器电阻漂移的抑制
臭氧处理对相变存储器电阻漂移的抑制，主要机制是通过界面氧化调控来稳定非晶态相变材料的结构弛豫过程。一、核心机理电阻漂移的根本原因在于非晶态GST（Ge₂Sb₂T...
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